首页 > 商品目录 > > > > IRF2907ZSTRLPBF代替型号比较

IRF2907ZSTRLPBF  与  IPB049NE7N3 G  区别

型号 IRF2907ZSTRLPBF IPB049NE7N3 G
唯样编号 A-IRF2907ZSTRLPBF A-IPB049NE7N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@75A,10V 4.4mΩ
上升时间 - 11ns
Qg-栅极电荷 - 68nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 52S
封装/外壳 D2PAK -
连续漏极电流Id 160A(Tc) 80A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 8ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7500pF @ 25V -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 150W
典型关闭延迟时间 - 30ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
典型接通延迟时间 - 14ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 270nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2907ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 10,000 对比
BUK763R6-40C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK763R6-40C_SOT404

¥19.0073 

阶梯数 价格
1: ¥19.0073
100: ¥14.0795
400: ¥10.8304
800: ¥9.5844
350 对比
PSMN4R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R6-60BS_SOT404

¥11.4567 

阶梯数 价格
210: ¥11.4567
400: ¥9.7091
800: ¥8.9074
0 对比
IPB049NE7N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB049NE7N3GATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售